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专利名称:降低CICC超导导体接头盒内超导缆交流损耗的方法

文章来源: 发布时间: 2020-12-17

专利名称:降低 CICC 超导导体接头盒内超导缆交流损耗的方法

申 请 号 

CN201910639811.9

申 请 日 

2019-07-16

公开(公告)号

CN110401046B

公开(公告)日 

 2020-10-16

申请(专利权)人 

中国科学院合肥物质科学研究院

发 明 人 

陆坤 郑兴东 宋云涛 胡兵 沈光 吴维越

专利类型 

发明专利

摘 要 

 本发明公开了一种降低 CICC 超导导体接头盒内超导缆交流损耗的方法,申博太阳城在线开户:分为子缆遮蔽处理和子缆间阻隔处理两部分,以解决子缆与超导接头盒铜面之间形成的交流损耗和子缆间串流造成的能量损耗。这两种损耗不仅消耗驱动超导磁体的能量,而且会产生热量,引起超导接头内部的温度变化,造成超导接头性能的不稳定。子缆遮蔽操作通过将电流回路中的一部分绝缘遮蔽,彻底打断电流回路,消除了超导缆与铜面之间的交流损耗。通过子缆间插入阻隔片将子缆间的电阻情况回复到超导缆的原始状态,从来保证子缆间的串流造成的损耗降低到可以接受的范围内。本发明的结构特点是最大程度上降低超导接头内部的能量损耗,提高超导接头的电学性能。

主权项 

降低 CICC 超导导体接头盒内超导缆交流损耗的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)、子缆遮蔽处理:首先确认超导缆表面与超导接头盒内铜面相互接触的接触位置,并去除该接触位置处的不锈钢花包带以露出超导缆中的多个子缆;然后找出该接触位置处出现两次的子缆,对比出现两次的子缆其两次出现部分的面积,并选取其中面积较小的部分作为遮挡区域;最后采用聚酰亚胺带包裹遮挡区域;(2)、子缆间阻隔处理:在步骤(1)中接触位置处相邻两个子缆之间分别插入非完全绝缘的阻隔片,以提高子缆之间电阻并确保子缆之间不是完全绝缘;所述阻隔片为不锈钢阻隔片,不锈钢阻隔片插入相邻两个子缆之间缝隙深处,且不锈钢阻隔片完全埋入两个子缆之间不露出。所述的降低 CICC 超导导体接头盒内超导缆交流损耗的方法,其特征在于:步骤(1)中,采用辅助模具寻找接触位置,该辅助模具为具有中心通孔的矩形体,其中中心通孔的直径与超导缆的直径一致,矩形体的尺寸与超导缆接头盒内铜面的尺寸一致,矩形体通过中心通孔套在超导缆上,矩形体侧面设有使超导缆露出的模具窗口,模具窗口显示的部分即为超导缆表面与超导接头盒内铜面接触的部分。

IPC信息 

IPC主分类号 

H01R4/68 ; H01R43/00

IPC分类号 

H01R4/68 ; H01R43/00

    · H 电学

        · H01 基本电气元件

          ·H01R 导电连接;一组相互绝缘的电连接元件的结构组合;连接装置;集电器

             ·H01R4 两个或两个以上导电部件之间直接接触

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